"IRFS630A характеристики"

IRFS630A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник. ..1. Size:508K samsung.

Irfs630a транзистор характеристики на русском языке. Наименование прибора: IRFS630A. Тип транзистора: MOSFET. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W. …

This Power MOSFET series realized with STMicroelectronics unique STripFETTM process has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore …

Транзистор Irfs630a: основные характеристики. Транзистор Irfs630a является мощным полевым транзистором типа N-канал и способен выдерживать высокие токи и напряжения.

Part #: IRFS630A. Download. File Size: 261Kbytes. Page: 7 Pages. Description: Advanced Power MOSFET. Manufacturer: Fairchild Semiconductor.

Согласно своим техническим характеристикам, транзистор IRF630 хорошо подходит для использования в импульсных блоках питания, преобразователях тока в постоянный или …

Основные параметры irfs630a полевого транзистора n-канального. Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого …

IRFS630A datasheet, IRFS630A pdf, IRFS630A data sheet, datasheet, data sheet, pdf, Fairchild Semiconductor, Advanced Power MOSFET

IRF630 www.vishay.com Vishay Siliconix S21-0819-Rev. C, 02-Aug-2021 4 Document Number: 91031 For technical questions, contact: [email protected] THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO …

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального IRFS630A. Дана подробная информация о параметрах, схеме …

irfs630 mosfet - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник Наименование прибора: irfs630 Тип …

Основные технические характеристики транзистора IRF630 его цоколевка и аналоги. Описание всех параметров, datasheet на русском от производителей.

Полевой транзистор IRF630 относится к категории мощных полупроводниковых приборов с изолированным затвором (MOSFET). Триод имеет …

Характеристики транзистора irf630. Корпус - to-220ab; Напряжение пробоя сток-исток 200.

Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других …